公開日 2014年03月03日
平成２６年２月１８日（火）に，（独）科学技術振興機構のJST東京別館ホールにおいて，二次電池／次世代エネルギー分野新技術説明会が開催されました。新技術説明会は，大学等から生まれた研究成果の実用化を促進するために開催される事業であり，ＪＳＴでは，平成２５年度から，分野別の新技術説明会を開催しています。発表希望者からのエントリー，選考を経て，今回の「二次電池／次世代エネルギー分野」では，計１２件の新技術が発表されました。
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島根大学からは，総合理工学研究科の葉文昌准教授が「低温高速スパッタエピ成長法によるSi系太陽電池の製造技術」について発表すると共にポスターセッションを行いました。
葉 准教授は，スパッタ堆積法により，Si膜またはGe膜を300℃以下，3nm/s以上の高速でエピタキシャル成長を可能とする新技術を紹介し，試作された基板や太陽電池の展示も行いました。次世代太陽光発電に関わる技術の一つとして，複数の企業関係者の方々に関心を持っていただきました。終了後には，担当コーディネータである産学連携センターの丹生晃隆准教授も交えた個別相談も行われました。発表技術シーズの概要は，産学連携センターのＨＰをご覧ください。
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産学連携センターでは，今後も，今回のような発表の機会を通じて，本学の研究成果の情報発信をして参ります。
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